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          碳化硅廠家分享碳化硅基本信息

          來源:http://www.oliverasistencia.com/news841769.html發布時間:2022/7/22 15:33:00

                 碳化硅廠家成立多年,除了長年從事各類碳化硅的生產工作,同時通過多年來與碳化硅的接觸,對各類碳化硅方面的信息也多少有些了解,可以為用戶詳細介紹碳化硅,提供更多關于碳化硅的信息。為了回報廣大用戶多年來的支持,也為了能讓更多的人認識了解碳化硅,碳化硅廠家將總結多年來的經驗,簡單的總結及介紹一下碳化硅的基本信息。




                 其實,碳化硅是一種典型的共價鍵結合的穩定化合物。從理論上來講,碳化硅均由sic四面體堆積而成,所不同的只是平行結合或反平行結合。sic有75種變形,如α-SiC、β-SiC、3C-SiC、4H-SiC、15R-SiC等,所有這些結構可分為方晶系、六方晶系和菱形晶系,其中α-SiC、β-SiC較常見。α-SiC是高溫穩定型,β-?SiC是低溫穩定型。β-SiC在2100-2400攝氏度可轉變為α-SiC,β-SiC可在1450攝氏度左右溫度下由簡單的硅和碳混合物制得。碳化硅本身很容易氧化,但它氧化之后形成一層二氧化硅薄膜,氧化進程逐漸被阻礙。在空氣中,碳化硅于800攝氏度時就開始氧化,但很緩慢,隨著溫度升高,則氧化速度急速加快。碳化硅的氧化速率,在氧氣中比在空氣中快1.6倍;氧化速率的速度隨著時間推移而減慢。如果以時間推移對氧化的數量描圖,可以得到典型的拋物線圖形。這反映出二氧化硅保護層對碳化硅氧化速率的阻礙作用。氧化時,若同時存在著能將二氧化硅薄膜移去或使之破裂的物質,則碳化硅就易被進一步氧化。

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